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有机晶体管的基础研究
  • 项目名称：有机晶体管的基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：29974031
  • 申请代码：B0403
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2000-01-01-2002-12-01
  • 项目负责人：闫东航
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院长春应用化学研究所
  • 批准年度：1999
中文摘要：

本项目采用分子气相沉积方法制备半晶性和结晶性有机半导体薄膜，通过原子力显微镜、电子显微镜、X－射线衍射、热分析等主要研究手段，系统研究了衬底类型和衬底生长温度对薄膜形态结构的影响。通过薄膜形态结构与器件性质关联研究，建立形态结构与器件性能之间的联系，进一步指导高功能有机半导体器件的性能优化。特别是在五氧化二钽表面能够原位生长出高取向a相多晶金属酞菁薄膜，该类薄膜具有非常高的载流子迁移率性质。器件工艺兼容现有工业技术，同时兼容柔性衬底。研究成果表现形式目前主要是突出自主知识产权的形成。申请中国发明专利5项，其中部分申请美国发明专利2项，欧洲和日本发明专利各1项。

中文主题词： 有机晶体管；有机半导体；有机电子学
结论摘要：

英文主题词organic transistors; organic semiconductors; organic electronics

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 10
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
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