中文摘要：

开发结构均一、可控性强、灵敏度高的活性基底是SERS技术发展的关键。本项目利用结构周期高度有序的氧化铝模板与技术参数可调的脉冲电化学沉积相结合的方法，在支撑衬底上精细调控制备排列规则、间距可控、长径比可控、阵列择优生长取向可控以及结晶性可控的Ag纳米棒阵列结构。研究纳米棒间距、长径比、择优生长取向以及结晶性对目标分子SERS信号的影响，探索各个结构参数与基底SERS活性强弱的对应关系，得出具有高SERS活性的Ag纳米棒阵列基底的特征结构参数。以此为指导，综合调控各项实验参数制备具有最优结构（确定间距、确定长径比、确定择优生长取向、确定结晶性）的Ag纳米棒阵列 SERS基底，实现对TNT分子的痕量检测。本研究将为AAO模板法精细调控制备高SERS活性的一维贵金属纳米阵列基底提供实验和理论支持，为贵金属纳米阵列SERS活性基底的应用奠定基础。