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半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题研究
  • 项目名称：半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90407019
  • 申请代码：B0306
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2005-01-01-2007-12-31
  • 项目负责人：孙建军
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：福州大学
  • 批准年度：2004
中文摘要：

针对半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题，研究现行铜互连线工艺中铜在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现铜在微沟道中的无缝隙和无空洞填充。在上述工作的基础上，搞清新一代银互连线工艺中，银在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现银在微沟道中的无缝隙和无空洞电沉积填充，为我国未来半导体集成化芯片系统的制作奠定基础。

中文主题词： 芯片；金属化；铜；银；沉积机理
英文摘要：

Chip, Metalization, Copper, Si

英文主题词： Chip, Metalization, Copper, Si
结论摘要：

针对半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题，研究现行铜互连线工艺中铜在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现铜在微沟道中的无缝隙和无空洞填充。在上述工作的基础上，搞清新一代银互连线工艺中，银在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现银在微沟道中的无缝隙和无空洞电沉积填充，为我国未来半导体集成化芯片系统的制作奠定基础。

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
  • 5
  • 0
  • 0
  • 0
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