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绝缘体上锗(GOI)纳米带应变调控机理及其MOSFET研究
  • 项目名称：绝缘体上锗(GOI)纳米带应变调控机理及其MOSFET研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61474094
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：李成
  • 依托单位：厦门大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 5
  • 0
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期刊论文
基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料
简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟
High-performance Ge p-i-n photodetector on Si substrate
硅基锗薄膜选区外延生长研究
SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试
李成的项目
金属与锗接触界面微结构改性及势垒高度调控机理研究
期刊论文 63 会议论文 1
金融生态环境、管理层异质性与企业税收遵从
期刊论文 10 著作 1
SOI基高速、窄谱带响应长波长Ge光电探测器研究
期刊论文 33 会议论文 3 专利 1
税收政策不确定性，企业税收风险控制与税收战略选择