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中文摘要：
研究GaN基异质结构体系应变层的极化效应；极化与应变层材料的组份、层厚、应变、掺杂等依赖关系；极化对能带的调制作用；极化对探测器工作机理的影响，在此研究的基础上，设计出高灵敏度探测器的材料结构。研究探测器欧姆接触、刻蚀等器件的制备关键技术，最终研制出具有极化效应的高响应度的GaN基异质结构紫外光探测器。
结论摘要：
英文主题词Ultraviolet photodetector；GaN；polarization effect；heterostructures
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