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同GaN/AlGaN场效应晶体管电流崩塌效应相关的深中心和表面态问题的光离化谱和调制光电谱研究
  • 项目名称：同GaN/AlGaN场效应晶体管电流崩塌效应相关的深中心和表面态问题的光离化谱和调制光电谱研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10574130
  • 申请代码：A0402
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：王玉琦
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院合肥物质科学研究院
  • 批准年度：2005
中文摘要：

经过近十几年的研究，虽然在GaN/AlGan场效应器件研究领域取得了巨大进展，但在GaＮ/AlGaN器件中，由于强的电声子耦合导致的深中心和表面态对热电子的俘获所导致的DC、AC、及高偏置电压引起的多种电流崩塌效应仍是限制大功率场效应晶体管可靠工作的瓶颈。许多实验事实表明崩塌效应的起因与同材料的深中心和表面态相关。同传统的化合物半导体材料相比，对GaN/AlGaN材料系统中的深中心和表面态的物理特

中文主题词： 深中心;氮化镓;场效应晶体管;缺陷
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期刊论文
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