中文摘要：

硅基光电子技术正在向纳米尺度发展，研究高效发光的新型硅基光电子薄膜材料，实现硅基纳米电子和光电子集成。利用强流离子注入技术和热处理加工，使用变化剂量和能量的Ge、Si离子注入到SiO2薄膜中，研究摻杂、辐射效应对GeSi量子点形成及其GeSi/SiO2薄膜发光的影响。使用SRIM模拟了原子位移率DPA，通过比较发光光谱和模拟结果，讨论了缺陷的形成和薄膜的发光机制。研究了铝掺杂对SiGe/ SiO2薄膜晶化和发光的影响,探讨了铝摻杂对SiGe成核和Si、Ge原子扩散和薄膜光致发光的影响。使用不同比例的Ar/O2溅射Si、Ge靶材，然后通过退火形成量子点，研究了溅射气体成分对薄膜微观结构和光学特性的影响。