中文摘要：

集成电路技术快速发展，单个晶体管尺寸正逐渐接近其物理极限。在基底材料硅中引入纳米结构，有可能实现其能带结构的调整，因此或许是突破这种物理极限的一条重要路径。本项目开展了离子注入辅助以固相外延法制备SiGe纳米团的研究，探索了多步离子注入和不同退火工艺对微结构的影响研究，形成了硅衬底中引入嵌入式SiGe纳米结构的可控性初步方案，其尺寸、密度、位置多能通过固相外延得到控制。通过不同激光波长的拉曼谱测试，与此类结构有关的应变特性得到深入研究。这种嵌入式纳米结构在572.9nm、581.2nm、630.3nm波长处存在室温下光致发光效应得到证实。