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三维空间Ge/Si量子点阵红外探测材料的溅射生长机理及其物性研究
项目名称:三维空间Ge/Si量子点阵红外探测材料的溅射生长机理及其物性研究
项目类别:面上项目
批准号:11274266
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:杨宇
依托单位:云南大学
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
11
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期刊论文
温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响
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C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
埋层应变对溅射生长 Ge 量子点的影响
Au诱导形成有序Si纳米孔阵列及其应用
渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计
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杨宇的项目
硅离子自注入改性硅薄膜发光材料的理论和实验研究
期刊论文 32
会议论文 3
Ge/Si纳米薄膜红外探测材料的研究
期刊论文 29