中文摘要：

本项目利用高度织构化的Bi2223银包多层芯带材，研究适量离子缺陷掺杂对带材的合成、临界电流、磁通钉扎特性和磁通涡旋运动的影响，探讨超导层内掺杂离子产生超导电性上的离子缺陷的机理以及离子缺陷对磁通钉扎的作用机制。其研究结果可为高温超导体中的磁通钉扎研究提供新的研究思路和技术参考，也可为Bi系带材的实用化研究提供技术储备。

结论摘要：

在本项目支持下，研究了适量离子缺陷掺杂对Bi2223 银包带材临界电流、磁通钉扎特性和磁通涡旋运动的影响，探讨超导层内掺杂离子产生超导电性上的离子缺陷的机理以及离子缺陷对磁通钉扎的作用机制。另外，在本项目支持下，对化学法制备涂层导体缓冲层也进行了初步研究和探索，找到了一系列适宜于用化学法制备的潜在的缓冲层材料REBiO3（RE: Y、Sm或其它镧系稀土元素）。