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氧化物分子束外延生长二氧化钛基稀磁半导体薄膜及其性质研究
  • 项目名称：氧化物分子束外延生长二氧化钛基稀磁半导体薄膜及其性质研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51672125
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：顾正彬
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2016
顾正彬的项目
氧化锌基稀磁半导体薄膜和超晶格材料的制备与性能
期刊论文 6