位置：立项数据库 > 立项详情页
　半导体异质兼容集成中的高质量异变外延与自组织纳异质结构
  • 项目名称：　半导体异质兼容集成中的高质量异变外延与自组织纳异质结构
  • 批准号：2010CB327601
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：任晓敏;黄辉;倪海桥;桑新柱;詹峰
  • 依托单位：北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy
Optimization of InAs/GaAs quantum-dot structures and application to 1.3-μm mode-locked laser diodes
An effective reflectance method for designing broadband antireflection films coupled with solar cells
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy
Defect reduction in GaAs/Si film with InAs quantum-dot dislocation filter grown by metalorganic chemical vapor deposition
任晓敏;黄辉;倪海桥;桑新柱;詹峰的项目