位置：立项数据库 > 立项详情页
中日双边氮化物半导体材料和器件研讨会
  • 项目名称：中日双边氮化物半导体材料和器件研讨会
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：60110034
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：张国义
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2001
张国义的项目
MOCVD生长GaN和兰光LED
GaN基半导体异质结构研究
用于制备GaN 单晶衬底材料的MOCVD、HVPE 和LLO 集成化设备的研制
期刊论文 3
2009年亚太地区宽禁带半导体国际会议
GaN单晶衬底及其同质外延的研究
期刊论文 8 专利 4
2008年宽禁带半导体暑期学校
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
期刊论文 1
GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
期刊论文 15 会议论文 1
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
期刊论文 41 会议论文 6
2005年度韩中新功能半导体联合学术研讨会
GaN基紫外光传感器及其应用的研究
期刊论文 5
GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
期刊论文 12 专利 1