项目组在高质量碳纳米管制备、碳纳米管定向生长、碳纳米管红外器件制造及其特性研究方面开展了系统的研究。课题实现了在SiO2/Si衬底上同时多个方向定向的碳纳米管阵列的制备为在具有成熟加工工艺的Si衬底上构建复杂碳纳米管器件成为可能,对促进单壁碳纳米管在纳电子器件方面的应用具有重要意义;采用金刚石纳米颗粒制备SWNTs完全避免了采用传统金属催化剂带来的非碳元素对SWNT产物的污染,对直接用于与CMOS工艺集成构建纳电子器件以及集成电路具有重要意义;提出了建立基于单壁碳纳米管的红外探测器设计方案以及基于水平定向单壁碳纳米管阵列的红外探测器方案,可有效避免采用单壁碳纳米管薄膜为红外敏感材料时难于认识单壁碳纳米管在红外探测过程中所起到的作用的问题,为研究单壁碳纳米管的红外探测原理奠定基础。研究表明,单根碳管光伏器件对不同波段的光表现出不同的响应,器件对3-5μm红外光的响应相对较小,而对8-14μm红外光的响应相对较大,表现出器件在不同波段上应用的前景,为碳纳米管在红外探测方面的应用奠定了坚实的基础。
英文主题词SWCNT; IR detector; CVD; Manufacture; Performance