位置：立项数据库 > 立项详情页
IV族基应变材料系能带工程研究及其光子器件的应用
  • 项目名称：IV族基应变材料系能带工程研究及其光子器件的应用
  • 项目类别：重大项目
  • 批准号：69896266
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：余金中
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：1998
余金中的项目
WDM全光网基础研究
应变SiGe合金在脉冲激光退火下的量子点形成机理
第六届先进半导体材料与器件联合研讨会
UV－UHV／CVD法SiGe/Si选区原子层外延研究
期刊论文 1
激光辅助CVD生长太赫兹SiGe量子级联超晶格结构
期刊论文 15 会议论文 1
半导体激光器列阵集成技术基础研究
第五届中俄先进半导体材料与器件双边会议
硅光子学的材料、器件和应用
2005年度韩中新功能半导体联合学术研讨会
第7届国际四族光子学会议
中德光电子与微电子器件与电路专家论坛