欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
第五届中俄先进半导体材料与器件双边会议
项目名称:第五届中俄先进半导体材料与器件双边会议
项目类别:国际(地区)合作与交流项目
批准号:61081320061
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:余金中
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2010
余金中的项目
中德光电子与微电子器件与电路专家论坛
激光辅助CVD生长太赫兹SiGe量子级联超晶格结构
期刊论文 15
会议论文 1
半导体激光器列阵集成技术基础研究
硅光子学的材料、器件和应用
2005年度韩中新功能半导体联合学术研讨会
第7届国际四族光子学会议
UV-UHV/CVD法SiGe/Si选区原子层外延研究
期刊论文 1
IV族基应变材料系能带工程研究及其光子器件的应用
WDM全光网基础研究
应变SiGe合金在脉冲激光退火下的量子点形成机理
第六届先进半导体材料与器件联合研讨会