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β- Ga2O3氧化物半导体单晶的生长与导电性能的研究
项目名称:β- Ga2O3氧化物半导体单晶的生长与导电性能的研究
项目类别:重大研究计划
批准号:91333106
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:徐军
依托单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能
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徐军的项目
新型掺镱超快激光晶体的生长与性能研究
期刊论文 76
会议论文 15
专利 7
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期刊论文 2
光学和光电子学材料
期刊论文 63
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期刊论文 14