溅射法制备低电子缺陷的HfO2薄膜-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

位置：立项数据库 > 立项详情页

溅射法制备低电子缺陷的HfO2薄膜

项目名称：溅射法制备低电子缺陷的HfO2薄膜
项目类别：联合基金项目
批准号：10776010
申请代码：A06
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2008-01-01-2010-12-31

项目负责人：谢二庆
负责人职称：教授
依托单位：兰州大学
批准年度：2007

中文摘要：

在项目的执行过程中，我们使用直流、脉冲直流、射频三种电源，对金属铪靶进行反应溅射，反应气体为氧气，分别在硅、石英和K9玻璃衬底上制备了氧化铪（HfO2）薄膜。对得到的薄膜样品分别利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、椭圆偏振光（SE）、紫外-可见光谱（UV-Vis）、X射线光电子谱（XPS）、正电子淹没谱（PAS）、电学测试（I-V、C-V）、激光损伤阈值测试等手段进行了结构、表面形貌、电学性能、光学性能、缺陷等测试。通过这些测试，我们对比分析了各种制备条件对样品性能的影响，探索了制备高质量样品的最优化条件。实验发现脉冲直流电源和射频电源制备的样品质量要好于直流电源，对于不同电源，制备较高质量样品的实验条件略有不同。对制备的样品还使用常规退火、快速退火、激光处理、原子氧处理等方法进行了后处理，研究了后处理对样品性能的影响。此外，我们对制备的样品进行了激光损伤阈值测试，分析了影响样品激光损伤阈值的各种因素。在研究过程中，我们共发表国际性期刊论文7篇，其中SCI收录6篇，EI收录1篇，已毕业的硕士1人，硕士转硕博连读4人，在读硕士3人。

中文主题词： HfO2；溅射；低电子缺陷

结论摘要：

英文主题词HfO2；Sputtering；Low electronic defect

成果综合统计