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　新型纳米结构非挥发闪存器件技术研究
  • 项目名称：　新型纳米结构非挥发闪存器件技术研究
  • 批准号：2006AA03Z307
  • 项目来源：“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域2006年度专题课题
  • 研究期限：2006-11-
  • 项目负责人：丁士进
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
原子层淀积Al2O3薄膜表面自组装Au纳米颗粒及其热稳定性
丁士进的项目
面向SOP的非易失性薄膜晶体管存储器及其可靠性研究
期刊论文 1
　高密度金属性纳米晶体的二维可控生长及其在存储器中的应用
适合于SOC的射频电路用超高密度MIM电容及其可靠性研究
期刊论文 1
　高密度金属性纳米晶体的二维可控生长及其在存储器中的应用
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高密度金属/绝缘体/金属电容的电压系数调制及性能退化机理
期刊论文 12