本研究以新型BIT基无铅铁电薄膜1T结构为研究对象,紧紧围绕BIT基无铅铁电薄膜1T结构的制备,铁电薄膜中内应力、点电荷缺陷、电畴结构表征,电学性能和保持性失效分析等方面进行了系统的研究。通过选择合适的绝缘层材料和对1T结构以及制备工艺进行综合优化,得到了具有良好C-V存储特性、I-V漏电流特性、C-t保持性能的1T结构;建立了金属-铁电-绝缘层-半导体MFIS-1T结构的本构模型,研究了上电极与铁电薄膜的界面对1T结构存储窗口等性能的影响;建立了MFIS-1T结构的保持性能模型,探索了1T结构的保持性失效机理。在该项目的资助下,共在影响因子2.0以上的SCI源刊上发表学术论文15篇;申请了2项国家发明专利,已经授权1项;培养了博士研究生1名,硕士研究生5名。
英文主题词BIT-based lead-free ferroelectric film 1T structure; retention failure; stress; domain; point charge defects