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BIT基无铅铁电薄膜1T结构铁电存储单元的保持性失效研究
  • 项目名称:BIT基无铅铁电薄膜1T结构铁电存储单元的保持性失效研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:10802072
  • 申请代码:A020306
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:钟向丽
  • 负责人职称:副教授
  • 依托单位:湘潭大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

本研究以新型BIT基无铅铁电薄膜1T结构为研究对象,紧紧围绕BIT基无铅铁电薄膜1T结构的制备,铁电薄膜中内应力、点电荷缺陷、电畴结构表征,电学性能和保持性失效分析等方面进行了系统的研究。通过选择合适的绝缘层材料和对1T结构以及制备工艺进行综合优化,得到了具有良好C-V存储特性、I-V漏电流特性、C-t保持性能的1T结构;建立了金属-铁电-绝缘层-半导体MFIS-1T结构的本构模型,研究了上电极与铁电薄膜的界面对1T结构存储窗口等性能的影响;建立了MFIS-1T结构的保持性能模型,探索了1T结构的保持性失效机理。在该项目的资助下,共在影响因子2.0以上的SCI源刊上发表学术论文15篇;申请了2项国家发明专利,已经授权1项;培养了博士研究生1名,硕士研究生5名。

结论摘要:

英文主题词BIT-based lead-free ferroelectric film 1T structure; retention failure; stress; domain; point charge defects


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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