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多层布线大规模集成电路用低介电常数二氧化硅膜的研制
  • 项目名称:多层布线大规模集成电路用低介电常数二氧化硅膜的研制
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50273043
  • 申请代码:E0309
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2003-01-01-2005-12-01
  • 项目负责人:张榕本
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院化学研究所
  • 批准年度:2002
中文摘要:

低介电常数材料在多层布线大规模集成电路微型化中起着关键作用,具有可观商业价值。本研究利用本组提出逐步偶联法,制备带有成孔基,僧水基和交联为侧链梯型聚硅氧烷,再经熔/凝胶过程,同时发生微相分离,得到纳米尺寸异相微区的薄膜,再锻烧成具有综合性能良好的低介电常数二氧化硅纳米微孔膜。这是一个原始创新课题,有很好的实用前景。

结论摘要:

英文主题词Low dielectric constant; Silica; Nanoporous material.


成果综合统计
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