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第10届国际半导体技术吸杂与缺陷工程秋季会议
  • 项目名称：第10届国际半导体技术吸杂与缺陷工程秋季会议
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：60310206430
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郑有斗
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2003
郑有斗的项目
GeSi异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)研究
Si上GeSi合金膜的异质外延生长及GeSi/Si异质结研究
GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
期刊论文 11