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GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
  • 项目名称：GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：60136020
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郑有斗
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2001
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 11
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期刊论文
极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响
GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响
Al组分对AlxGa1-xN／GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应
表面钝化前后Al0．22Ga0．78N／GaN异质结势垒层应变的高温特性
MOCVD方法制备高Al组分AlGaN
MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
Al／AlN／Si MIS结构的电学性质
郑有斗的项目
第10届国际半导体技术吸杂与缺陷工程秋季会议
Si上GeSi合金膜的异质外延生长及GeSi/Si异质结研究
GeSi异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)研究