中文摘要：

与零维掺杂纳米晶相比，过渡金属掺杂的半导体纳米线兼具量子尺寸限域效应、掺杂离子的自旋和能级调控、良好的电子输运和激子迁移通道，是一类具有特殊发光性质的材料，可望成为构造纳米光子和自旋光电子器件的理想单元。为获得高质量II-VI族掺杂半导体纳米线的简单、可控、容易放大的溶液相合成方法，理解其发光机制并对其发光性质进行调控，本项目在文献调研和前期探索的基础上，提出了II-VI族掺杂半导体纳米线的单源前驱体SLS(溶液-液-固)掺杂制备策略，通过其掺杂生长机制研究、合成路线设计和反应条件优化，实现掺杂纳米线的尺寸、形貌、晶体结构以及掺杂种类和浓度的控制；进而利用多种光谱手段，研究掺杂纳米线的发光性质,结合材料表征,初步阐明其发光机制；在此基础上，对材料进行理性设计和发光调控，获得具有较好稳定性、高荧光量子产率、发光光谱可调的掺杂II-VI族半导体纳米线材料，并探索其发光LED应用。