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面向太赫兹应用的(In)AlN/GaN高频HFETs器件基础研究
  • 项目名称：面向太赫兹应用的(In)AlN/GaN高频HFETs器件基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61674130
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：吕元杰
  • 依托单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 批准年度：2016
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析
吕元杰的项目
AlN/GaN 异质结场效应晶体管中与应变分布相关的载流子散射机理研究
期刊论文 15