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AlN/GaN 异质结场效应晶体管中与应变分布相关的载流子散射机理研究
  • 项目名称：AlN/GaN 异质结场效应晶体管中与应变分布相关的载流子散射机理研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61306113
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：吕元杰
  • 依托单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 15
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期刊论文
Effect of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
新型Al组分渐变结构的N极性GaN基HEMT中二维电子气研究
A high performance InAIN/GaN HEMT with low Ron and gate leakage
N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟
关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
AlN/GaN high electron mobility transistors on sapphire substrates for Ka band applications
W-band GaN MMIC PA with 257 mW output power at 86.5 GHz
Unstrained InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析
高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
N极性GaN基HEMT研究进展
漏源间距对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响
基于再生长欧姆接触工艺的220GHzInAIN／GaN场效应晶体管
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
吕元杰的项目
面向太赫兹应用的(In)AlN/GaN高频HFETs器件基础研究
期刊论文 1