中文摘要：

除了庞磁电阻效应以外，钙钛矿型锰氧化物在相变温区也显示出了异常的各向异性磁电阻（AMR）效应，其数值比传统铁磁性材料中的AMR效应大两个数量级。这种异常大的AMR效应在高精度角度/方向传感方面具有很大的应用前景。目前，人们对其调控方法及其物理机制还不是很清楚。通过研究钙钛矿型锰氧化物中异常AMR效应与晶体结构、微结构、磁畴结构、形状、应力、掺杂等的依赖关系，发现单晶样品中的异常AMR效应起源于金属-绝缘体转变温度附近磁场诱导的金属-绝缘体转变；外延薄膜样品中的AMR与晶体结构、应力状态密切相关，晶体结构会影响AMR的对称性，应力状态可以调控AMR的大小和符号；在多晶样品中，在低温下，AMR起源于电子的各向异性隧穿，在金属-绝缘体转变温度附近，变磁性转变导致了AMR的增强；Sr掺杂会抑制样品的相分离，降低AMR；电荷有序态的样品中的AMR与电荷有序态的各向异性融化密切相关。通过本研究，掌握了影响钙钛矿锰氧化物中异常AMR效应的主要因素，理解了异常AMR效应的物理机制。