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抗低温氧化型二硅化钼电热材料的设计
  • 项目名称：抗低温氧化型二硅化钼电热材料的设计
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50372078
  • 申请代码：E0208
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2004-01-01-2006-12-31
  • 项目负责人：江莞
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 批准年度：2003
中文摘要：

本项目针对当前急需的抗低温氧化型MoSi2电热材料所面临的问题进行研究，根据MoSi2的低温氧化机理和复合材料结构与性能关系理论，创新性的对其显微结构进行设计，利用与MoSi2相容的添加相对其界面进行控制，形成特定的显微结构来阻止MoSi2基体内部的氧化。这样不仅能从根本上解决MoSi2的低温氧化问题。同时也保证了MoSi2材料原有的良好抗热冲击、导电性能。该成果将直接应用于半导体设备制造业及空间

中文主题词： MoSi2;低温氧化;显微结构设计
英文摘要：

MoSi2,Low-temperature,Microstr

英文主题词： MoSi2,Low-temperature,Microstr
结论摘要：

本项目针对当前急需的抗低温氧化型MoSi2电热材料所面临的问题进行研究，根据MoSi2的低温氧化机理和复合材料结构与性能关系理论，创新性的对其显微结构进行设计，利用与MoSi2相容的添加相对其界面进行控制，形成特定的显微结构来阻止MoSi2基体内部的氧化。这样不仅能从根本上解决MoSi2的低温氧化问题。同时也保证了MoSi2材料原有的良好抗热冲击、导电性能。该成果将可能应用于半导体设备制造业及空间材料发热元件。

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 17
  • 7
  • 0
  • 0
  • 1
期刊论文
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会议论文
二硅化钼发热元件的研究及应用现
Effective Thermal conductivity
The Mechanism of MoSi2 by Self
Effect of La2O3 on the Propert
Mo(Si,Al)2材料的制备及其性能
高纯MoSi 2粉体的高温自蔓延燃烧
In-situ Fabrication of Ti-Si-C
著作
『新材料概论』
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