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Ge和SiGe量子点的生长、结构表征及发光特性研究
  • 项目名称：Ge和SiGe量子点的生长、结构表征及发光特性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：69776010
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：蒋最敏
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：1997
蒋最敏的项目
半导体异质结构（包括ＳＯＩ、ＳＯＳ材料）
期刊论文 1
硅晶体和薄膜生长以及晶格缺陷学术会议
GeSi量子点的生长机制和物理特性
硅基铁磁半导体材料制备、微结构和磁学性质研究
2004年中澳材料科学研讨会
锗锡直接带隙材料外延生长及其微结构和物理特性研究
在硅衬底上Er2O3、Tm2O3高k介质材料的外延生长和物理特性研究
期刊论文 9 会议论文 9