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中文摘要：
围绕硅衬底、锗衬底上高k氧化物材料的异质外延生长、生长机制、微结构和物理特性开展以下三方面的研究。（1）硅衬底上氧化铥薄膜的外延生长及电学性质采用多步生长法在Si（001）表面成功外延生长了Tm2O3薄膜。氧气氛中退火后薄膜表现出较好的电学性质。（2）锗衬底上氧化铒薄膜的生长及电学性质 Er2O3薄膜在不同温度下的生长机制有很大不同。从表面沉积、界面反应和反应物脱附等角度提出了不同温度下薄膜的生长过程。（3）Er原子稳定的β-氧化锰薄膜的铁电性 Er的掺入 使得β-MnO2具有更高的热稳定性。薄膜的C-V曲线的电容回滞在退火前后上从逆时针方向变为顺时针方向，观察到β-MnO2的铁电性。另外也开展了Fe0.04Si0.96薄膜的外延生长和低温输运性质，GeSi量子点、量子环可控生长和微结构研究。发表SCI论文9篇。国际学术会议论文8篇，其中邀请口头报告1篇，口头报告2篇，国内学术会议大会报告1篇。多名研究生出国参加国际学术会议或开展合作研究。培养研究生9名，其中4名取得博士学位。
结论摘要：
英文主题词MBE;Mechanism of heterostructural epitaxial growth;Surface and interface;Semiconductor heterostructure;High-k dielectric
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