中文摘要：

自旋转矩效应（STT)驱动的磁矩进动和磁化翻转在磁存储和微波激发等方面有潜在应用而引起广泛关注，面内和垂直双自旋极化层设计可有效增强STT效应。我们前期初步宏自旋模拟结果显示，双自旋极化层结构能大大降低自由层磁矩的翻转时间。本课题拟采用微磁学技术，针对STT效应驱动磁矩进动的微观机理开展进一步深入研究建立自由层分别为垂直和面内各向异性材料的双自旋极化微磁学模型，研究磁矩超快翻转和微波激发的特性和微观机理；探讨倾斜自旋极化层驱动下自由层磁矩进动的行为特性，揭示磁矩动态行为与自旋极化层倾角等参数的关联问题；研究磁性隧道结中垂直STT效应，探讨界面自旋泵浦效应对自旋翻转的影响问题等。本项目旨在深入研究双自旋极化层所诱导的自旋转矩效应的物理机理和行为特性，对相关自旋电子器件的设计和研制具有指导意义。