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AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题
项目名称:AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题
项目类别:面上项目
批准号:61574134
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:朱建军
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2015
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
2
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期刊论文
The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
Fabrication of room temperature continuous-wave operation GaN-based ultraviolet laser diodes
朱建军的项目
富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响
期刊论文 38
会议论文 2
AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
期刊论文 36
会议论文 1