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AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
  • 项目名称：AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60576003
  • 申请代码：F040101
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：朱建军
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2005
中文摘要：

本项目主要研究通过研究生长条件对AlInN材料In组份、AlInN晶体质量等的影响探索这种材料的最优化MOCVD生长技术,获得高质量的不同In组份的AlInN材料。与此同时，利用各种可能的测试手段对AlInN材料晶格参数、位错种类、位错产生和演化等晶体性质以及带隙宽度、反射率和折射率、迁移率和载流子浓度等物理性质进行测试和分析。高质量的AlInN材料- 特别是和GaN晶格匹配的AlInN材料- 在高功率器件的应用方面，不论是发光二极管和激光二极管，还是调制掺杂场效应晶体管和HBT，作为一种晶格常数和带隙宽度都有很大可调范围的新的光学工程材料会有很大的发展空间,具有非常大的研究价值。所以，本项目还将对AlInN材料在GaN基器件尤其是蓝光激光器中的应用进行探索和研究。

中文主题词： AlInN;MOCVD;晶体生长;晶体性质;物理性质
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 36
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Study of lattice damage produced by neon implantation into AlInN
An evidence of defect gettering in GaN
Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemic
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
高阻氮化镓外延层的异常光吸收
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si （111） substrate with AlGaN interlayer
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapordeposition
MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究
MOCVD生长的GaN：Mg外延膜的光电性质
InN的光学性质
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响
会议论文
AlInN 材料的MOCVD外延生长研究
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