中文摘要：

本研究将致力于制作氮化铟(InN)金属-绝缘体-半导体（MIS）器件结构，并对其做低温电学输运的测量，研究InN 表面电子聚积层的输运特性，以期能够找到控制InN 表面态输运的方法。我们所要采用的MIS结构能够很方便的在各种极端条件下实现肖特基接触。这解决了InN研究界广泛使用的电解液接触只能在室温附近稳定使用的不便。利用MIS结构，我们将尝试控制InN 表面态中的电子浓度，再利用低温和变温的手段，找到InN 表面态中的电子结构的变化的规律。 同时，一些有趣的问题，比如InN中由表面态输运到体材料输运的转变，InN 表面层中的多子带输运，也有望被观察到。我们的工作还能验证一些研究InN 表面层的间接方法（比如多层模型）的有效性。本研究包括了InN材料生长，器件制作和低温电学测量几部分，将加深人们对InN的器件应用和物理特性的了解。