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表面等离激元增强型非极性面AlGaN基深紫外LED器件的基础研究
项目名称:表面等离激元增强型非极性面AlGaN基深紫外LED器件的基础研究
项目类别:面上项目
批准号:61377034
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:吴志浩
依托单位:华中科技大学
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
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期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
Enhanced Luminescence of InGaN-Based 395 nm Flip-Chip Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Al as N-Electrode
吴志浩的项目
非极性a面AlGaN基深紫外发光二极管的制备及其性能研究
非极性面高Al组分AlGaN基深紫外LED外延材料与器件的研究
期刊论文 11
会议论文 1