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空穴气增强型高压GaN HEMT机理与新结构研究
  • 项目名称：空穴气增强型高压GaN HEMT机理与新结构研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51677021
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：罗小蓉
  • 依托单位：电子科技大学
  • 批准年度：2016
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