位置：立项数据库 > 立项详情页
基于原位TEM开展28nm及以下节点内相变存储器电子激发擦写的探索研究
  • 项目名称：基于原位TEM开展28nm及以下节点内相变存储器电子激发擦写的探索研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376083
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王晓峰
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
晶圆激光切割技术的研究进展
Surface plasmon-enhanced dual-band infrared absorber for VO_x-based microbolometer application
固体纳秒激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究
王晓峰的项目
纳米尺度相变存储器热量调控工程中包裹层机理的器件级研究
期刊论文 3
高响应度氧化镓日盲紫外探测材料生长和器件研制