位置：立项数据库 > 立项详情页
高响应度氧化镓日盲紫外探测材料生长和器件研制
  • 项目名称：高响应度氧化镓日盲紫外探测材料生长和器件研制
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61306063
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王晓峰
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2013
王晓峰的项目
基于原位TEM开展28nm及以下节点内相变存储器电子激发擦写的探索研究
期刊论文 3
纳米尺度相变存储器热量调控工程中包裹层机理的器件级研究
期刊论文 3