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旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
  • 项目名称：旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：69676001
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：吴巨
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：1996
吴巨的项目
InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
期刊论文 15
量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究