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InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
  • 项目名称：InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60676029
  • 申请代码：F0403
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人：吴巨
  • 负责人职称：副研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2006
中文摘要：

InAs/GaAs(001)体系中薄膜外延生长和量子点自组装生长过程的研究已经开展几十年。目前，人们用原子在生长表面的沉积、扩散、聚集等简单的原子运动来说明薄膜生长和自组装量子点的形成。我们通过实验，观察到量子点生长新的现象证明量子点自组装生长过程很快，小于10-4秒；按照生长条件的不同，量子点密度随沉积量的增加方式可以分别是幂函数、指数函数、线性函数。在这些观察基础上，我们提出量子点自组装是复杂的原子集体运动，不可能归结为简单的原子的个体运动。这些观察和观点为外延生长物理现象的基础研究提供了新的概念和方法。

中文主题词： InAs/GaAs(001), 外延生长，量子点
结论摘要：

英文主题词InAs/GaAs(001), epitaixal growth, quantum dots

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
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  • 专利
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