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　CTM存储材料的表征方法和性能研究
  • 项目名称：　CTM存储材料的表征方法和性能研究
  • 批准号：2010CB934202
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：时东霞;李方华;张广宇;何为;张向群;王毅
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 9
  • 0
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期刊论文
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氧空位对Co掺杂TiO_2稀磁半导体中杂质分布和磁交换的影响
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单一晶相氧化锰纳米颗粒的交换偏置效应：
Effects of oxygen vacancy location on the electronic structure and spin density of Co-doped rutile TiO2 dilute magnetic semiconductors
透射电子显微镜原位双倾样品杆的研制
暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用
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时东霞;李方华;张广宇;何为;张向群;王毅的项目