中文摘要：

GaN基超晶格是Ⅲ族氮化物光电子器件的基本结构，其电子输运由于二维电子气(2DEG)的存在显示独特的机制。GaN基Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带、高载流子饱和迁移率、高热导率和耐辐照的优点，在高温和辐射环境（如核能、空间）具有广泛应用潜力。但是，核能和空间环境的快重离子由于具有大的电子能损，会在超晶格中引入潜径迹缺陷，并可在超晶格界面引发原子混合，这都会造成超晶格的二维电子气密度及迁移率发生变化。本项目针对超晶格中电子输运机制与普通外延层中电子输运机制不同的特点，基于HIRFL提供的快重离子条件，研究快重离子入射引起的强电离激发效应对超晶格中电子输运行为的影响，重点探讨重离子潜径迹的形成和界面间的原子混合对超晶格束缚的二维电子气的影响，建立电子输运行为对缺陷微观结构的依赖关系，寻找电子输运性质发生显著变化的辐照参数阈值，为GaN基光电子器件在辐照环境下的应用提供基础研究的依据。