本研究针对电场对稀磁半导体磁化行为的调制开展了系统的研究。分别对稀磁半导体和铁电薄膜的制备、微结构和性能进行了系统研究。一方面通过研究异质结构中的界面结合情况、铁电和稀磁半导体层厚度、生长条件、织构和应力以及氧化物稀磁半导体中载流子浓度等因素对异质结构中磁化调制能力的影响,优化制备工艺和实验参数,制备出了居里温度在室温以上的且铁磁性可被外加电场非挥发性有效调制的稀磁半导体/铁电体异质结构;另一方面通过基于第一性原理的理论计算和分析,分析了稀磁半导体中铁磁性的起源以及电场对其磁化行为调制的物理机制。本项目发表SCI论文19篇,其中在Appl. Phys. Lett.上发表论文3篇。申请国家发明专利4项,正式授权3项。培养了博士研究生1名,硕士研究生7名。
英文主题词ferroelectrics; diluted magnetic semiconductors; heterostructures; magnetization