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中文摘要：
采用脉冲激光沉积和激光分子束外延技术，以Fe/Sn为非补偿性p-n对，通过优化实验方案，制备出由Fe和Sn取代In的均相In2O3薄膜。设计"金属-绝缘体-半导体"结构单元，在外加电场下，测量其霍尔效应、霍尔电阻随外磁场的变化曲线以及磁滞回线。研究外加电场对Fe,Sn掺杂In2O3薄膜的载流子浓度、霍尔迁移率、反常霍尔电导率、磁化强度和居里温度的影响；选择不同介电常数的绝缘层材料，研究其对外加电压的影响。在较小的外加电压下实现对Fe,Sn掺杂In2O3薄膜室温磁性"开"与"关"的电场调控。该项目的研究将为氧化物稀磁半导体在未来自旋电子器件的应用提供一定的实验依据。
结论摘要：
英文主题词oxide-based diluted magnetic semiconductos；the noncompensated p-n codoping；pulsed laser deposition；ferromagnetism；
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