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中文摘要：
半导体纳米线阵列，尤其是氧化物半导体纳米线材料由于其良好的光电特性、抗氧化、耐高温特性等引起了交叉学科科学家的极大兴趣。本项目拟开展半导体纳米线的场发射特性及其发射机理研究。首先，将在我们纳米线材料制备与掺杂研究的基础上，着重研究不同种类的半导体纳米线阵列（如ZnO、TiO2、AlN、TiSi2）的场发射电子特性，筛选最佳候选场发射阴极材料；分析各种工艺参数，如掺杂、热处理，以及电极距离、吸附效应、纳米线阵列密度等对场发射性能的影响，研究上述半导体纳米线的场发射机理，找出最佳的场发射参数与优化条件。我们相信，本项目的实施将会帮助人们了解和认识纳米材料的物理性能，尤其是纳米线材料作为未来场发射基平面显示技术中高性能阴极材料的发射机理及其潜在优势，促进纳米材料的应用进程，获得具有我国特色与独立知识产权的实用技术。
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