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　MOCVD材料生长等关键设备
  • 项目名称：　MOCVD材料生长等关键设备
  • 批准号：2006AA03A141
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：王晓亮
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
王晓亮的项目
GaN基毫米波功率器件与材料的新结构研究
期刊论文 73 会议论文 1 专利 8