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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心, [2]中国科学院半导体照明研发中心, [3]中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金(60576046,60606002);国家“973”重点基础研究(2006CB604905,613270805);国家“863”高技术研究发展计划(2006AA03A141);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
作者： 殷海波[1,2,3], 王晓亮[1,2,3], 冉军学[1,2,3], 胡国新[1,2,3], 肖红领[1,2,3], 王翠梅[1,2,3], 杨翠柏[1,2,3], 李晋闽[1,2,3], 侯洵[3]
关键词： GAN, MOCVD, 数值模拟, 流场, 沉积速率, 几何结构
中文摘要：

对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果;腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070