中文摘要：

发展和完善了直流反应溅射、MOCVD、电子速蒸发和水溶液等方法，制备了ZnO和MgxZn1-xO薄膜及ZnO自组装量子点，共计近千个样品。研究了发光与制备条件的关系；测量了样品的晶体结构、禁带宽度、多重分形谱、阴极射线和光致发光光谱、激发光谱、吸收和反射谱等；计算了ZnO薄膜的本征缺陷能级；探讨了发光中心的性质。主要成果1）通过特殊的过渡层改善了Si上大失配外延ZnO薄膜的质量，使高度提高两个数量级以上，并能人为地控制发光光谱；2）首次观察到ZnO/Si异质结的光生伏特效应和强的紫外响应，为制作光电池和紫外探测器提供了根据；3）应用特殊的参杂方法，生长出p型ZnO薄膜，并制备了同质p-n结；4）发表论文24篇，其中SCI收录15篇。