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氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究
  • 项目名称：氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：50532070
  • 申请代码：E0209
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人：傅竹西
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：中国科学技术大学
  • 批准年度：2005
中文摘要：

本课题首先探索用SiC为过渡层制备ZnO/SiC/Si异质结构并研究器光电性质。SiC过渡层能够减少ZnO和Si之间的晶格失配和热失配，提高Si基片上外延ZnO薄膜的质量。这对于改善光电子器件性能是非常有用的。该课题获得了如下成果1）制备出X射线摇摆曲线半宽仅为0.26度的高质量SiC薄膜；并成功地生长出p型SiC薄膜；2）大大改善了在Si衬底上通过SiC过渡层生长的ZnO薄膜的质量，得到的ZnO/SiC/Si异质结的光电转换效率是ZnO/Si的4倍，显示出在太阳能电池方面的应用前景；3）研究了阳离子（Ag）掺杂ZnO薄膜的光电特性和发光机理，发现一些新的特性。其次，该课题还重点研究了杂质和缺陷对发光的影响，取得如下成果1）利用杂化密度泛函方法计算出ZnO的能带结构，计算出的禁带宽度3.25eV，与实验值（3.37eV）非常接近；2）对得到ZnO可见发光来自多种本征缺陷的试验结果，理论计算支持了这种观点；3）观察到锌填隙缺陷对ZnO紫外发光的增强作用，导出ZnO紫外发光源于自由激子和锌填隙施主的耦合发光的新机制；4）从理论上分析和解释了H 阻碍ZnO的P型掺杂和影响P型稳定性的原因

中文主题词： ZnO/SiC/Si异质结；光电特性；杂质和缺陷；发光机理
结论摘要：

英文主题词ZnO/SiC/Si heterojunction; photoelectronics; impurities and deffects; luminescence mechanism

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
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专利
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