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　AlN衬底制备及GaN基深紫外LED外延技术研究
  • 项目名称：　AlN衬底制备及GaN基深紫外LED外延技术研究
  • 批准号：2006AA03A107
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：王文新
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
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期刊论文
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
Characteristics of GaN grown on 6H-SiC with different AIN buffers
r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究
化学气相沉积法合成高结晶度的三元系Cd1-xZnxS纳米线
王文新的项目
半导体二维体系中自旋分裂各向异性的实验研究
期刊论文 7